Recent #Power electronics news in the semiconductor industry
05/26/2025, 06:59 AM UTC
全桥600W隔离式DC-DC参考设计Full-Bridge 600 W Isolated DC-DC Reference Design
➀ 英飞凌推出的REF_600W_FBFB_XDPP1100是一款600W隔离式DC-DC参考设计，采用数字控制全桥拓扑，峰值效率达96%，功率密度22 W/cm³，面向电信、服务器和工业应用；
➁ 设计集成XDPP1100数字控制器、OptiMOS MOSFET和EiceDRIVER栅极驱动IC，支持36-72V宽输入范围，配备PMBus/I2C通信接口，在-40°C至125°C温度范围内输出电压精度达±1%；
➂ 具有快速瞬态响应、主动均流、GUI配置功能，并通过器件集成降低物料成本，提供完整的BOM、PCB布局等开发资料以加速产品市场化。
05/21/2025, 07:58 AM UTC
相移全桥转换器参考设计Phase-Shifted Full-Bridge Converter Reference Design
➀ 德州仪器（TI）的TIDA-01407是一款400W相移全桥转换器，专为汽车应用设计，可将36–60V直流输入转换为稳定的12V输出，效率卓越；
➁ 支持零电压开关（ZVS）、同步整流及变压器隔离技术，避免电池短路，确保在汽车电压波动下的可靠性；
➂ 配备120V栅极驱动器、可编程延迟以适应负载变化，并提供完整设计文档，适用于混合动力汽车（HEV/EV）系统及电源转换领域。
04/29/2025, 08:58 AM UTC
集成续流二极管的双向1200 V GaN开关Bidirectional 1200 V GaN switch with integrated free-wheeling diodes
➀ 弗劳恩霍夫IAF利用氮化镓绝缘体技术开发了集成续流二极管的1200 V双向GaN开关，可提升电动汽车充电器和可再生能源系统的效率；
➁ 该研究所还通过单栅极GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）实现了低压3电平拓扑的双向开关控制，简化了多电平变流器设计；
➂ 上述成果及48 V至1200 V电压等级的GaN功率电子技术进展将在2025年PCIM Europe展会上展示，凸显欧洲在能源转型关键技术领域的创新实力。
04/21/2025, 06:28 AM UTC
SiC MOSFET六合一模块SiC MOSFET Six-Pack Modules
➀ SemiQ公司推出了一款全新的1200V SiC MOSFET六合一模块，适用于电动汽车充电站、AC/DC转换器、储能系统、电机驱动、功率因数校正（PFC）升压转换器、感应加热系统、不间断电源（UPS）单元以及可再生能源平台等高需求领域；
➁ 该模块采用平面技术SiC MOSFET，具备坚固耐用的栅氧化层和可靠的体二极管，同时具有紧凑的设计、分立的DC负极端子、压接式端子连接以及Kelvin源，有助于简化系统集成并提高运行稳定性；
➂ 模块支持最大连续漏极电流30A，脉冲漏极电流可达70A，具有快速高效的开关性能，且尺寸仅为62.8 x 33.8 x 15毫米。
04/16/2025, 04:45 PM UTC
1200V碳化硅三相MOSFET桥式模块发布1,200V silicon carbide three-phase mosfet bridge
赛米克（SemiQ）推出了三种1.2kV的三相碳化硅MOSFET桥式模块，尺寸为62.8 x 33.8 x 15mm，采用压接六包形式。
这些模块的功率分别为20mΩ 263W、40mΩ 160W和80mΩ 103W，适用于电动汽车充电、储能和电机驱动。
每个模块都经过超过1,350V的测试，且100%的晶圆级老化。
04/15/2025, 05:30 AM UTC
世界首款集成肖特基二极管的氮化镓晶体管World’s First GaN Transistor With Integrated Schottky Diode
➀ 英飞凌科技公司推出了全球首款工业级集成肖特基二极管的氮化镓（GaN）晶体管系列。
➁ 这一创新被称为CoolGaN Transistor G5系列，提升了多种工业应用的效率并简化了设计流程。
➂ 它针对电信、服务器、DC-DC转换器、USB-C充电器、电源供应单元（PSU）和电机驱动等应用，解决了工程师在使用GaN技术时面临的挑战。
04/14/2025, 10:39 AM UTC
维里迪恩引擎推进公司（Viridian Ingni Propulsion）在金奈招聘硬件工程师（电机控制器方向）Hardware Engineer For Motor Controller At Viridian Ingni Propulsion In Chennai
➀ 本文介绍了一个在位于金奈的维里迪恩引擎推进公司（Viridian Ingni Propulsion）招聘硬件工程师（电机控制器方向）的职位。
➁ 该岗位涉及对电机 控制器的硬件开发拥有完全的所有权，包括系统架构设计、原理图创建、PCB布局审查以及监督制造过程。
➂ 理想候选人应具备至少2年的相关硬件开发经验，精通电力电子技术，并熟悉基于实时微控制器的嵌入式系统。
04/14/2025, 10:32 AM UTC
英飞凌推出100V氮化镓晶体管，集成肖特基二极管实现硬开关100V GaN transistor will integrate Schottky diode for hard switching
➀ 英飞凌计划推出一款100V氮化镓晶体管，并集成肖特基二极管，用于硬开关电源拓扑；
➁ 由于氮化镓拓扑中缺少体二极管，可能导致由于体二极管电压较大而造成的功率损耗增加；
➂ 新设备通过在氮化镓晶体管反并联一个肖特基二极管，以减少死时间并保持效率。
04/14/2025, 05:14 AM UTC
IQE与X-FAB合作开发GaN功率器件平台IQE and X-Fab hook up for GaN
➀ IQE与X-FAB签署了一项联合开发协议（JDA），旨在创建一个基于欧洲的GaN功率器件平台解决方案；
➁ 该协议为期两年，双方将合作开发650V GaN器件；
➂ 该协议将利用IQE的GaN外延设计和工艺专长以及X-FAB的技术开发能力和器件制造能力，为汽车、数据中心和消费应用提供优化的技术-衬底组合。
