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Recent #Power electronics news in the semiconductor industry

  • electronicsweekly

    03/28/2025, 01:00 PM UTC

    ➀ 马自达和罗姆签订了一份协议,共同开发基于氮化镓的汽车功率电子。

    ➁ 氮化镓可以通过高频运行降低功率转换损耗,并有助于组件的微型化。

    ➂ 合作旨在在财年2025年展示示范模型,并在财年2027年实现实际应用。

  • electronicsforu

    03/24/2025, 07:33 AM UTC

    ➀ 本文介绍了德州仪器推出的12V-60V三相氮化镓(GaN)逆变器参考设计,重点针对机器人和电机驱动的高效率、精确电流感应和无传感器控制。

    ➁ 设计采用三个LMG2100R044 GaN半桥模块,每个模块能够承受100V和35A,集成了GaN FET、驱动器和自举二极管,以优化开关性能并减少寄生电感。

    ➂ 关键特性包括使用1mΩ分流电阻和INA241电流感应放大器实现精确电流测量,通过与C2000 MCU兼容的TI BoosterPack接口实现快速评估,并适用于机器人伺服驱动器、无人机配件等多种应用。

  • electronicsforu

    03/24/2025, 05:48 AM UTC

    ➀ MICROTEST推出了VIP ULTRA测试仪,这是其VIP Extended产品线的最新成员,专门用于测试由碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)制成的宽带隙(WBG)器件。

    ➁ VIP ULTRA支持多种配置,电压能力可达1.7kV或4kV,电流容量高达250A,并提供高并行性以测试高功率芯片。

    ➂ 这款先进的测试仪特别适用于在硅晶圆级测试高功率芯片,在芯片分割和集成前确保其功能,满足汽车和工业领域不断增长的需求。

  • electronicsweekly

    03/21/2025, 06:27 AM UTC

    斯特拉斯克莱德大学从英国创新英国(Innovate UK)获得了900万英镑的资金,用于半导体封装研发。

    该目标是为功率电子半导体创建一个先进的封装线,将封装时间从数月缩短至数天。

    全球材料短缺、制造能力有限以及缺乏创新设施导致英国供应链依赖国际市场获取关键组件,从而造成长时间的延误。

  • electronicsweekly

    03/19/2025, 06:16 AM UTC

    ➀ 英飞凌推出了CoolSiC肖特基二极管2000 V G5产品系列,这是其首款 breakdown voltage 达到2000V的离散SiC二极管,采用TO-247-2封装。

    ➁ 该产品适用于直流链电压高达1500 V DC的应用,如太阳能和电动汽车充电器。

    ➂ 该二极管允许实现更高的功率水平,同时减少组件数量,简化整体设计。

  • idw-online

    03/18/2025, 12:12 PM UTC

    ➀ 卡尔斯鲁厄理工学院(KIT)在高压电网实验室(HPGL)建立了一个独特的研究环境,以在现实条件下研究创新电网组件的行为。

    ➁ 该测试平台旨在模拟真实电网,并将重点关注区域电力分配的低电压和中电压网络。

    ➂ HPGL计划于2030年投入运营,并由亥姆霍兹协会的战略扩张投资基金提供3280万欧元的资金。

  • electronicsweekly

    03/17/2025, 06:12 AM UTC

    ➀ 镁光芯片推出了25款Gen6 SJ MOSFET,其开关速度和RSP得到改善;

    ➁ 新产品通过内置齐纳二极管提高了可靠性,并具有更小的芯片尺寸;

    ➂ 产品线包括多种电压等级和封装类型,适用于高功率效率应用。

  • anysilicon

    03/10/2025, 12:03 PM UTC

    ➀ 德国纽伦堡的PCIM欧洲展与会议是全球功率电子、智能运动、可再生能源和能源管理的顶级国际活动。

    ➁ 作为行业和学术界领先的论坛,PCIM欧洲推动整个价值链的创新。

    ➂ 它已成为几十年来功率电子的固定之家。

  • electronicsweekly

    03/07/2025, 10:39 AM UTC

    ➀ 斯旺西大学集成半导体材料中心(CISM)与SAFEPOWER项目合作,致力于开发高效的MVDC转换器。

    ➁ 该项目旨在通过创建小型、环保的MVDC转换器来改善能源系统,这些转换器适用于海上风电、太阳能农场、电动汽车充电和高性能计算数据中心等应用。

    ➂ CISM将展示基于碳化硅和氧化镓等宽带隙材料的下一代功率芯片,旨在将所学知识应用于大规模制造。

  • electronicsforu

    03/04/2025, 11:01 AM UTC

    ➀ 文章讨论了钻石半导体由于其无与伦比的热导率和宽禁带,可能彻底改变电力电子领域。

    ➁ 崎玉大学的研究人员开发了第一个钻石n沟道MOSFET,展示了在高温下的高场效应迁移率和稳定性。

    ➂ 公司如Adamant Namiki Precision Jewel Co, Ltd、崎玉大学、Element Six和Cree正在引领钻石半导体研究和商业化的前沿。

  • electronicsforu

    02/28/2025, 06:20 AM UTC

    ➀ ROHM公司推出了一款采用紧凑且高效散热TOLL封装的650V氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)。

    ➁ 该产品适合用于工业自动化、汽车、电信及可再生能源等行业中的工程师和制造商。

    ➂ 新一代GaN-on-Si芯片实现了行业领先的ON电阻和输出电荷性能,有助于提高系统的微型化和能源效率。

  • idw-online

    02/27/2025, 09:17 AM UTC

    本文讨论了通过像ThinSiCPower这样的研究项目来开发成本效益高的硅碳化物(SiC)功率电子。它强调了SiC相对于传统硅的优势,着重于降低成本和改善热机械稳定性的需求。该项目专注于在不需锯切和研磨的情况下制造薄硅碳化物芯片和成本效益高的基板,旨在加速高效硅碳化物功率电子的市场渗透。

  • electronicsweekly

    02/26/2025, 06:04 AM UTC

    ➀ 意法半导体公司(STMicroelectronics)推出了一款1A降压转换器DCP3601,适用于智能电表、家用电器和工业转换器中的低压负载;

    ➁ 该转换器声称具有超过90%的效率,并且只需要六个组件来完成电路;

    ➂ 它提供了3.3V至36V的输入电压范围和1A的输出能力,适用于包括智能电表和家用电器在内的各种应用。

  • weixin

    02/25/2025, 01:02 PM UTC

    ➀ 半导体材料的发展历程,从第一代到第三代;

    ➁ 碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的独特物理特性,如宽带隙、高击穿场强、高电子迁移率和优异的热导率;

    ➂ SiC和GaN的市场格局,包括市场规模、主要玩家和应用领域。

  • electronicsweekly

    02/24/2025, 12:01 AM UTC

    ➀ 伊顿的超电容器现在可在TME购买;

    ➁ 这些电容器旨在为项目提供高效供电;

    ➂ 文章突出了伊顿超电容器的优点和应用。

  • electronicsweekly

    02/18/2025, 12:11 PM UTC

    ➀ 剑桥氮化镓器件(CGD)已完成3200万美元的C轮融资;

    ➁ 英国患者资本(British Patient Capital)在该轮融资中投入了500万英镑;

    ➂ 资金将用于扩大CGD的业务并专注于高效氮化镓产品的交付。

  • electronicsforu

    01/24/2025, 10:58 AM UTC

    ➀ GE在其班加罗尔办公室发布了电力电子与控制方向博士实习生职位。

    ➁ 实习生将参与先进的电气功率转换系统,并与GE航空航天和先进技术研究中心的技术人员合作,为未来进行创新。

    ➂ 该职位要求电气工程专业的博士候选人具备电力电子与控制方面的专业知识,包括功率转换器和控制系统的设计、模拟和实现。

  • electronicsweekly

    01/17/2025, 06:10 AM UTC

    ➀ Farnell库存了Vishay的新款microBRICK稳压器模块,以其市场上最小的DC/DC稳压器模块丰富了其电源产品组合;➁ microBRICK是一款同步降压稳压器模块,集成了功率MOSFET和电感器,能够提供高达20安的连续电流;➂ 它提供从4.5伏到18伏的输入电压范围,输出电压可调至0.6伏,适用于各种计算、消费电子、电信和工业应用。
  • electronicsforu

    01/14/2025, 06:31 AM UTC

    ➀ 瑞萨电子公司推出了新的100V高功率N沟道MOSFET;➁ 这些MOSFET设计用于电机控制、电池管理、电源管理和充电应用;➂ 公司提供与其他兼容设备的'获胜组合',以实现优化设计。
  • electronicsweekly

    01/09/2025, 09:01 AM UTC

    ➀ 瑞萨推出了100V高压N通道MOSFET,具有行业领先的电流开关性能;➁ 新的REXFET-1工艺将导通电阻降低了30%,Qg特性降低了10%;➂ 这些MOSFET采用标准封装,并附带参考设计,方便客户使用。
  • electronicsforu

    12/26/2024, 10:22 AM UTC

    ➀ GetMy Solutions在普纳招聘电动汽车功率电子设计新鲜人;➁ 该职位要求拥有电力电子专业的研究生学历,具备扎实的理论基础和实际操作经验;➂ 应聘者需具备MATLAB Simulink编程技能,并提交详细的个人资料。
  • electronicdesign

    12/23/2024, 05:01 PM UTC

    ➀ 介绍了一种新的芯片贴装工艺;➁ 该工艺承诺将电力器件的冷却效率提高至15倍;➂ 它降低了由传统烧结技术引起的导致故障的应力。
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